Semiconductor device ( pressure sensor ) allowing testing of diaphragm and cavity

摘要

Eine Membran (22) über einer Grundschicht (18) ist aus einem porösen p Si und ist elektrisch isoliert. In einer elektrisch schlecht leitenden Deckschicht (19) sind zwei Leitbereiche (20,21) vorgesehen. Diese erlauben eine Analyse der Beweglichkeit der Membran und der Ausdehnung der Kaverne oder des Hohlraums (23) durch eine Messung der statischen Kapazität. Auch Resonanzschwingungen. Empfindlichkeit ein mikro meter pro bar. <IMAGE>