垂直沟道场效应晶体管及制备方法

摘要

本发明涉及一种具有垂直沟道结构的场效应晶体管，及它的制备方法。本发明在现有垂直沟道场效应晶体管的漏端增加LDD结构，在源端形成Halo结构；即，对于n型管，在漏端与沟道之间增加一个n^－区，在源端与沟道之间增加一个p⁺区；对于p型管，在漏端与沟道之间增加一个p^－区，在源端与沟道之间增加一个n⁺区。本发明的垂直沟道场效应晶体管，可以有效的降低器件的短沟道效应，降低阈值的漂移，减小DIBL效应。同时降低了器件的关态电流，减小了功耗，提高了器件的开关比。这些特点都可以很好的改善器件尺寸减小而出现的问题，其优越性随着器件特征尺寸的减小表现更明显。可作为半导体器件广泛应用于集成电路技术领域。

主权项

1、一种垂直沟道场效应晶体管，其特征在于在现有垂直沟道场效应晶体管的漏端增加LDD结构，在源端形成Halo结构；即，对于n型管，在漏端与沟道之间增加一个n-区，在源端与沟道之间增加一个p+区；对于p型管，在漏端与沟道之间增加一个p-区，在源端与沟道之间增加一个n+区。