| 主权项 |
1.一种记忆装置,系非可逆写入记忆体所构成者,其特征为具有:事先写有初期资料的指定区;可写入使用者事先准备好之资料的预定区;以及可写入设定状态的区城,并且对上述指定区写入与上述初期资料相异的资料,藉此成为对上述预定区无法进行存取之状态,在记忆体之使用状态成为上述设定状态时,即可对上述预定区进行存取。2.一种记忆装置,系非可逆写入记忆体所构成者,其特征为具有:事先写有初期资料的第1指定区;可写入使用者事先准备好之资料的预定区;以及第2指定区,并且对上述第1指定区写入与上述初期资料相异的资料,藉此成为对上述预定区无法进行存取之状态,对上述第2指定区写入与上述特定资料具有预定关系的资料,藉此成为可对上述预定区进行存取之状态。3.如申请专利范围第1项或第2项之记忆装置,其中,上述非可逆写入记忆体系非挥发性半导体记忆体。4.如申请专利范围第1项或第2项之记忆装置,其中,在可经常进行存取的区域记录有属性资讯,上述属性资讯中则记录有是否有存取限制之资讯。5.如申请专利范围第1项或第2项之记忆装置,其中,上述预定区域的资料系可给予使用者优惠的资料。6.如申请专利范围第1项或第2项之记忆装置,其中,上述预定区域的资料为广告宣传资讯。7.一种存取限制方法,系相对于非挥发性之非可逆写入记忆装置者,其特征在于:记忆装置系对第1指定区写入特定资料,藉此使对于预定区之存取受到限制,而且具有:检测出上述记忆装置是否完成存取限制的步骤;在上述记忆装置未完成存取限制时,将上述记忆装置变成存取限制状态的步骤;以及已完成存取限制时,在上述记忆装置之使用状态成为预先设定之状态时,将上述记忆装置变成可存取状态的步骤。8.一种存取限制方法,系相对于非挥发性之非可逆写入记忆装置者,其特征在于:记忆装置系对第1指定区写入特定资料,藉此使对于预定区之存取受到限制,而且具有:检测出上述记忆装置是否完成存取限制的步骤;在上述记忆装置未完成存取限制时,将上述记忆装置变成存取限制状态的步骤;以及已完成存取限制时,在上述记忆装置之第2指定区的资料成为与上述特定资料具有预定关系时,将上述记忆装置变成可存取状态的步骤。图式简单说明:第1图系可适用本发明之一系统例的方块图。第2图系本发明一实施形态之记忆装置的构成方块图。第3图系用来说明本发明一实施形态之记忆装置的动作流程图。第4图系本发明其他实施形态之记忆装置的构成方块图。第5图系用来说明本发明其他实施形态之记忆装置的动作流程图。 |
