形成半导体器件的隔离层的方法

摘要

一种形成半导体器件的隔离层的方法，该方法能防止用作隔离层的氧化层的异常生长，减少有源区应力的产生，从而提高器件的特性。形成包括衬底上的有源区和使有源区相互隔离的器件隔离区的半导体器件的隔离层的方法包括：在半导体衬底的有源区上形成氮化层；在器件隔离区的周边部分，在半导体衬底中形成预定深度的槽；以及用氮化物材料填充该槽，并进行场氧化工艺。

主权项

1.一种形成半导体器件的隔离层的方法，包括以下步骤：在半导体基底上依次形成一基层氧化层和一第一氮化层；选择性腐蚀该第一氮化层和该基层氧化层，以暴露对应于器件隔离区的半导体基底部分；在具有有源区的器件隔离区的周边部分，在半导体衬底中形成槽；在对应于器件隔离区和槽的基底表面上形成氧化层；在器件隔离区执行场离子注入工艺；在包括注入了场离子的区域的整个表面上形成第二氮化层；深腐蚀该第二氮化层，以在第一氮化层的侧部形成氮化物侧壁；执行场氧化工艺，以形成一第一场氧化层；去除第一氮化层、氮化物侧壁、以及第一氮化层之下的基层氧化层；以及形成一第二场氧化层，以完全填满所述槽。