| 发明名称 | 清除FAMOS存储单元及相应存储单元的方法 | ||
| 摘要 | 以电气方式清除存储单元,例如,其方式是向基片施加比施加于源极的电压VS与施加于漏极的电压ND中的较低的电压至少高4伏的电压VB,并且VB低于预定的极限值,高于比值单元就会被毁。 | ||
| 申请公布号 | CN1388575A | 申请公布日期 | 2003.01.01 |
| 申请号 | CN02105498.3 | 申请日期 | 2002.04.05 |
| 申请人 | ST微电子公司 | 发明人 | 里夏尔·富尔内尔;西里尔·德雷;德尼埃尔·卡斯帕 |
| 分类号 | H01L21/82 | 主分类号 | H01L21/82 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 戎志敏 |
| 主权项 | 1.一种清除FAMOS存储单元的方法，其特征在于所述的存储单元(CM)以电气方式清除。 | ||
| 地址 | 法国蒙特鲁日 | ||