| 主权项 |
1.一种非挥发性半导体记忆体装置,包括:偏压提供电路,其系藉由使一电流从一负载电路中流出以提供一预先决定偏压至一位元线以相对应于当一记忆胞的一位址被选取时所产生的一第一时序信号,而且流至该记忆胞,其中该记忆胞根据该位址的选择经由一位元线选择电路与该位元线相连接,以及根据该记忆胞之开启状态或关闭状态释放电流,在连接该负载电路的一点产生一读出电压;以及一预充电电路,其系使一电流流至该位元线以相对应于当一第二时序信号是活化时,在一初期中所产生的该第二时序信号;以及藉此,该预充电电路会把当该时序信号是活化时,在一后期中的一电流中断。2.如申请专利范围第1项所述之非挥发性半导体记忆装置,其中该负载电路是由一开关电路所组成,其是被打开以相对应于以串联方式与一定电流源电路连接的该第一时序信号。3.如申请专利范围第2项所述之非挥发性半导体记忆装置,其中该开关电路是由一P通道电晶体所组成,其源极是连接至一电源,其闸极接受该第一时序信号,以及其汲极是连接至该定电流源电路,而且其中该定电流源电路是由一N通道电晶体所组成,其汲极是连接至该P通道电晶体之汲极,其闸极是连接至该P通道电晶体之汲极,以及其源极是连接至该偏压提供电路。4.如申请专利范围第1项所述之非挥发性半导体记忆装置,其中该偏压提供电路是由一回授型偏压电路所组成,该回授型偏压电路具有一电流控制电路,以使一电流从一电源中流出透过该负载电路而流至一位元线以相对应于一控制信号和一回授电路,当一电流提供电路根据该偏压线之偏压而流出之一电流,如同该控制信号,流回至该电流控制电路时,则由该回授电路所供应的一信号之电压会下降。5.如申请专利范围第4项所述之非挥发性半导体记忆装置,其中该电流控制电路是由一N通道电晶体所组成,该N通道晶体之源极是连接至该负载电路,其闸极接受该控制信号,以及其汲极是连接至该位元线,而且其中该回授电路是由一N通道电晶体所组成,其源极是连接至地端,其闸极接受该偏压,以及其汲极是连接至该电流提供电路,而且,其中该控制信号是由在该N通道电晶体之汲极与该电流提供电路之间的连接点输出。6.如申请专利范围第4项所述之非挥发性半导体记忆装置,其中该电流提供电路是由一第一电流提供部份和一第二电流提供部份所组成,该第一电流提供部份是打开的以相对应于该第一时序信号,此外,相对应于该第一时序信号而打开的该开关电路和一定电流源电路是以串联方式而与该第二电流提供部份相连接,该第一电流提供部份与该第二电流提供部份是并联于该电源与该回授电路之间。7.如申请专利范围第6项所述之非挥发性半导体记忆装置,其中该第一电流提供部份是由一第一P通道电晶体所组成,其源极是连接至一电源,其闸极接受该第一时序信号,以及其汲极是连接至该回授电路,而且其中该第二电流提供部份是由一第二P通道电晶体所组成,其源极是连接至一电源,其闸极接受该第一时序信号,其汲极是连接至一N通道电晶体之汲极,而且该N通道电晶体之汲极是连接至该第二P通道电晶体之汲极,其闸极是连接至该N通道电晶体之汲极,以及其闸极是连接至该回授电路。8.如申请专利范围第4项所述之非挥发性半导体记忆装置,其中更包括有接地电路其系与该回授电路并联,用以连接一控制信号之一端,该控制信号于该第一时序信号为不活化时会由该回授电路输出至地端。9.如申请专利范围第8项所述之非挥发性半导体记忆装置,其中该接地电路是由一N通道电晶体所组成,其汲极连接至组成该回授电路的该N通道电晶体之汲极,其闸极接受该第一时序信号,以及其源极接地。10.如申请专利范围第4项所述之非挥发性半导体记忆装置,其中该预充电电路是由一第一开关电路,该电流控制电路以及一第二开关电路所组成,其中该第一开关电路是打开的以相对应于该第二时序信号,该电流控制电路是用来控制一电流以相对应于连接至一电源与该位元线之间的该控制信号,以及该第二开关电路,其系关闭以相对应连接至在该电源与该位元线之间的该第二时序信号的反向信号。11.如申请专利范围第10项所述之非挥发性半导体记忆装置,其中该第一开关电路是由一P通道电晶体所组成,其源极是连接至一电源,其闸极接受该第二时序信号,以及其汲极是连接至该电流控制电路,而且其中该电流控制部份是由一第一N通道电晶体所组成,其汲极是连接到该P通道电晶体之汲极,其闸极接受该控制信号,以及其源极是连接至该第二开关电路,而且其中该第二开关电路是由一第二N通道电晶体所组成,其汲极是连接至该第一N通道电晶体之汲极,其闸极接受透过一反相器而提供的该第二时序信号,以及其源极是连接至该位元线。12.如申请专利范围第4项所述之非挥发性半导体记忆装置,其中该预充电电路是由一电流控制部份和开关电路所组成,该电流控制部份是使一电流从一电源中流出以相对应于连接至一电源与该位元线之间的该控制信号,此外,该开关电路是关闭的以相对应于连接至该电源和该位元线之间的该第二时序信号。13.如申请专利范围第12项所述之非挥发性半导体记忆装置,其中该电流控制部份是由一N通道电晶体所组成,其汲极是连接至一电源,其闸极接受该控制信号,以及其源极是连接至该开关电路,而且其中该开关电路是由一P通道电晶体所组成,其源极是连接至该N通道电晶体之源极,其闸极接受该第二时序信号,其汲极是连接至该位元线。14.如申请专利范围第4项所述之非挥发性半导体记忆装置,其中更包括一均衡电路,其系用来在该第二时序信号为活化时的后期中在该负载电路与该电流控制电路之间的一连接点与该电流控制电路之一输入端之间建立起一短路。15.如申请专利范围第14项所述之非挥发性半导体记忆装置,其中该均衡电路是由一N通道电晶体所组成,其汲极是连接至组成该电流控制电路的该N通道电晶体之汲极,其闸极接收当该第二时序信号是活化时,在一后期中所产生的一第三时序信号,以及其源极是连接至形成该电流控制电路的该N通道电晶体之闸极。图式简单说明:第1图显示出根据本发明之第1实施例一非挥发性半导体记忆装置之读出电路。第2图显示出根据本发明之第2实施例一非挥发性半导体记忆装置之读出电路。第3图显示出根据本发明之第3实施例一非挥发性半导体记忆装置之读出电路。第4图的曲线图显示出第3实施例的非挥发性半导体记忆装置中的读出电路中的电压与电流之间的关系。第5图显示出第3实施例中非挥发性半导体记忆装置之读出时序产生电路之方块图。第6图显示出第3实施例中非挥发性半导体记忆装置读出动作之时序图。第7A图与第7B图用以说明第3实施例之非挥发性半导体记忆装置中的读出之输出状态的决定。第8图显示出传统非挥发性半导体记忆装置中的读出电路的结构。第9图的曲线图说明传统非挥发性半导体记忆装置之回授型偏压电路的运作。第10图显示出传统非挥发性半导体记忆装置所使用之读出时序产生电路之电路方块。第11图显示出传统非挥发性半导体记忆装置读出动作之时序图。第12A图及第12B图说明传统非挥发性半导体记忆装置读出之输出状态的决定。 |
