发明名称 | 一种磁性多层膜中实现垂直各向异性的方法 | ||
摘要 | 本发明是一种用铁磁/反铁磁多层膜中垂直交换偏置产生垂直各向异性的新方法。首先用真空镀膜设备在衬底上制备缓冲层,然后在缓冲层上制备铁磁/反铁磁多层膜,最后在多层膜上覆盖一层保护层。完成制备后,在外磁场中将多层膜样品从高于反铁磁层的奈尔温度冷却到低温,其中外磁场的方向平行于膜面的法线方向,而且足够大使得铁磁层能够在垂直方向饱和磁化。用铁磁/反铁磁多层膜中的垂直交换偏置产生垂直各向异性,这对高密度垂直磁记录及磁光存储等信息技术领域具有重大的应用价值。 | ||
申请公布号 | CN1385865A | 申请公布日期 | 2002.12.18 |
申请号 | CN02111172.3 | 申请日期 | 2002.03.27 |
申请人 | 复旦大学 | 发明人 | 周仕明;袁淑娟;王磊 |
分类号 | H01F1/08;H01F41/14;G11B5/84 | 主分类号 | H01F1/08 |
代理机构 | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人 | 陆飞 |
主权项 | 1、一种在磁性多层膜中实现垂直各向异性的方法,其特征在于利用铁磁/反铁磁多层膜中的垂直交换偏置实现垂直各向异性,具体步骤如下:在玻璃或硅的衬底上,用真空镀膜方法交替沉积铁磁/反铁磁层构成调制结构多层膜,膜层的周期数为5-100,铁磁层的厚度为0.1--10纳米,反铁磁层厚度为1-99纳米;再在多层膜上覆盖一层抗氧化层;然后对多层膜样品进行磁场冷却,其中外磁场的方向平行于膜面的法线方向,从高于反铁磁层的奈尔温度降到低于反铁磁层的奈尔温度,外加磁场需使得铁磁层的磁化强度能够沿法线方向饱和磁化。 | ||
地址 | 200433上海市杨浦区邯郸路220号 |