| 发明名称 | 曝光掩模的图案修正方法和半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种曝光掩模的图案修正方法,包括:准备包含使用曝光掩模在衬底上形成图案的多个单元工序的单元工序组在所述多个单元工序中的至少一个单元工序中产生变更的情况下,使用第一和第二邻近效应数据来设定在所述曝光掩模中实施邻近效应修正用的修正规则或修正模块;以及使用所述修正规则或所述修正模块,在所述曝光掩模中实施邻近效应修正。还涉及使用上述修正方法的半导体器件的制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1383188A | 申请公布日期 | 2002.12.04 |
| 申请号 | CN02121806.4 | 申请日期 | 2002.04.23 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 桥本耕治;井上壮一;田中聪;臼井聪 |
| 分类号 | H01L21/00;H01L21/027;G03F1/00 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1.一种曝光掩模的图案修正方法，包括：准备包含使用曝光掩模在衬底上形成图案的多个单元工序的单元工序组，所述多个单元工序包括关于所述曝光掩模制造的单元工序、关于使用所述曝光掩模的平版印刷的单元工序和关于所述衬底的蚀刻的单元工序；在所述多个单元工序中的至少一个单元工序中产生变更的情况下，使用第一和第二邻近效应数据来设定在所述曝光掩模中实施邻近效应修正用的修正规则或修正模块，所述第一邻近效应数据是关于起因于产生所述变更前的所述至少一个单元工序的邻近效应的数据，所述第二邻近效应数据是关于起因于产生所述变更后的所述至少一个单元工序的邻近效应的数据；以及使用所述修正规则或所述修正模块，在所述曝光掩模中实施邻近效应修正。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||