| 主权项 |
1.一种半导体检查装置,其系一种使被配置于检查装置,复数之电气接续基板之中由矽形成之第一基板之探针个个直接接触于检查用半导体元件之复数之电极焊垫,一边电气地接续着一边检查半导体元件之装置,其特征为:前述探针被形成之第一基板之探针系被形成在单边支撑之梁上,透过绝缘层,配线由探针前端沿着单边支撑梁之前端部,至被形成在探针形成面之相反面之电极焊垫为止连续接续。2.如申请专利范围第1项记载之半导体检查装置,其中在前述探针被形成之第一基板表面,包围前述第一基板形成由金属形成之接地配线层,在前述接地配线层之上形成绝缘层,在前述绝缘层之上形成复数之配线。3.如申请专利范围第2项记载之半导体检查装置,其中前述复数之配线之中,电源线以及接地配线与信号线比较,形成为比较粗,而且,电源线以及接地线于电极焊垫附近,与接地层电气地导通,信号线在探针附近,与接地层电气地导通。4.如申请专利范围第2项记载之半导体检查装置,其中在3m以上30m以下之范围形成前述绝缘层之厚度。5.如申请专利范围第1项记载之半导体检查装置,其中前述第一基板系使用低电阻矽,而且,透过绝缘层,在其表面形成复数之配线。6.如申请专利范围第1或第5项记载之半导体检查装置,其中前述复数之配线之中,电源线以及接地配线与信号线比较,形成为比较粗,前述电源线以及接地线于电极焊垫附近,与低电阻矽层电气地导通,信号线在探针附近,与低电阻矽层电气地导通。7.如申请专利范围第6项记载之半导体检查装置,其中第一基板系利用低电阻矽,绝缘层系由第一绝缘膜以及第二绝缘膜形成。8.如申请专利范围第7项记载之半导体检查装置,其中第一绝缘膜系利用由二氧化矽形成之热氧化膜,而且,第二绝缘膜系利用聚亚醯胺树脂。9.如申请专利范围第8项记载之半导体检查装置,其中使前述第一绝缘膜之厚度在3m以下,而且,在3m以上30m以下之范围形成第一绝缘膜与第二绝缘膜之合计厚度。10.一种半导体检查装置,其系由复数之电气接续基板形成,在前述基板之中由矽形成之第一基板形成复数之探针,使前述探针直接接触于检查用半导体元件之复数之电极焊垫,一边电气地导通,一边检查半导体元件之半导体检查装置,其特征为由:被形成在前述第一基板之探针被形成在单边支撑梁之前端部份,由前述探针前端部至设置于前述探针形成面之相反侧之面之电极为止,于前述梁之外围侧被配线于被设置在前述第一基板表面之绝缘膜上;在前述第一基板之上部设置比前述第一基板之电极更扩大电极之配置用之第二基板之电气接续基板,以焊锡球接续前述第一基板之电极与前述第二基板之电极;透过前述第二基板之被扩大侧之各电极与弹簧销被接续之检查部而构成。图式简单说明:图1系本发明之一实施例之装置构成图。图2系本发明之一实施例之斜视图。图3系关于本发明之一实施例之探针与电极焊垫之剖面图。图4系关于本发明之一实施例之探针与电极焊垫之剖面图。图5系本发明之其它之一实施例之剖面图。图6系本发明之其它之一实施例之剖面图。图7系本发明之其它之一实施例之剖面图。图8系在探针形成基板打开配线用通孔之情形之剖面图。图9系图8之平面图。图10系图8之探针侧所见之平面图。图11系关于本发明之一实施例之剖面图。图12系关于本发明之一实施例之平面图。图13系关于本发明之一实施例之平面图。图14系关于本发明之其它之一实施例之平面图。图15系关于本发明之其它之一实施例之剖面图。图16A-16G系关于本发明之其它之一实施例之外观图。图17A-17F系本发明之一实施例之构造体之加工制程。图18A-18F系本发明之一实施例之配线之加工制程。图19系本发明之其它之一实施例之配线之加工制程。 |
