发明名称 用于局部淀积表面涂层之装置及方法,及具有局部表面涂层之透气薄膜
摘要 一种用于在薄膜(W)上淀积局部的表面涂层(2a,2b)之装置(1),其设计是用于淀积涂层(2a,2b)于两面。装置(1)含有具有活动印网(6a,6b)之淀积装置(3a,3b)。各印网(6a,6b)可以互相对正,以使在薄膜(W)一面(4a)上之表面涂层实质上与薄膜(W)他面(4b)之表面涂层在重叠中相等。
申请公布号 TW501951 申请公布日期 2002.09.11
申请号 TW089110787 申请日期 2000.07.14
申请人 索利帕特股份有限公司 发明人 安德鲁斯尤利
分类号 B05C5/02;B41M1/12;B05D1/26 主分类号 B05C5/02
代理机构 代理人 何金涂 台北巿大安区敦化南路二段七十七号八楼;李明宜 台北巿大安区敦化南路二段七十七号八楼
主权项 1.一种用于在透气而不透水薄膜(W)上淀积局部表 面涂层(2a,2b)之装置(1), 具有至少一淀积装置(3a),在薄膜一面(4a)或在基质( Ta)上直接或间接淀积流性塑料(K); 该淀积装置(3a)较佳含有至少一个第一淀积喷嘴(5a )和一个第一活动印网(6a) 其为设置于淀积喷嘴(5a)和薄膜(W)或基质(Ta)之间, 且为同步地移动至薄膜(W)或至基质(Ta)上, 其中装置(1)至少含有一安排于薄膜(W)他面(4b)上之 第二淀积装置(3b),用于在薄膜他面上或在基质(Tb) 上直接或间接淀积流性塑料(K), 该第二淀积装置较佳含有至少一个第二淀积喷嘴( 5b)和一第二活动印网(6b),其为安排在第二淀积喷 嘴(5b)与薄膜(W)或基质(Tb)之间, 其中第一淀积装置(3a)和第二淀积装置(3b)是互相 可以对正或被对正以使第一表面涂层(2a)至少局部 与第二表面涂层(2b)在重叠中相等,其中第二印网(6 b)较佳为同步地活动至第一印网(6a),且其中第一印 网(6a)和第二印网(6b)可互相对正于薄膜运行方向(L )及/或于与薄膜(W)运行方向(L)之横向(A),且其中较 佳在淀积装置(3a,3b)之后安排一设备(7),用于以外 加材料(Ma,Mb)层积于薄膜(W)之两面。2.如申请专利 范围第1项之装置,其中第一和第二印网(6a,6b)设计 成为可滚动而装设之印网鼓。3.如申请专利范围 第2项之装置,其中印网鼓是可绕轴(A1,A2)滚转而装 设,各轴延伸于平面(E)中而垂直于薄膜(W)。4.如申 请专利范围第2项之装置,其中印网鼓是可绕可互 相对正之轴(A1,A2)滚转而装设。5.如申请专利范围 第3项之装置,其中印网鼓是可绕可互相对正之轴(A 1,A2)滚转而装设。6.如申请专利范围第1至5项中任 一项之装置,其中相对于薄膜之第一印网是与第二 印网形成镜面状之对称。7.如申请专利范围第2至5 项中任一项之装置,其中各印网鼓可用伺服马达对 正。8.如申请专利范围第6项之装置,其中各印网鼓 可用伺服马达对正。9.如申请专利范围第1至5项中 任一项之装置,其中第二淀积装置(33)中取代印网 鼓而含有具有深陷部(35)之雕刻辊轮(36)而用于配 给塑料(K)。10.如申请专利范围第6项之装置,其中 第二淀积装置(33)中取代印网鼓而含有具有深陷部 (35)之雕刻辊轮(36)而用于配给塑料(K)。11.如申请 专利范围第7项之装置,其中第二淀积装置(33)中取 代印网鼓而含有具有深陷部(35)之雕刻辊轮(36)而 用于配给塑料(K)。12.如申请专利范围第8项之装置 ,其中第二淀积装置(33)中取代印网鼓而含有具有 深陷部(35)之雕刻辊轮(36)而用于配给塑料(K)。13. 一种用于淀积局部之表面涂层至透气性薄膜上之 方法,尤其是使用申请专利范围第1至8项中任一项 之装置,其特征在于薄膜(W)两面(4a,4b)淀积局部的 表面涂层(2a,2b) 其中在薄膜两面(4a,4b)上所淀积之涂层(2a,2b)至少 一部份在互相重叠中相等,使薄膜(W)于所有状况中 包含已涂覆和未涂覆等段落,且该薄膜随后较佳直 接层积于两面。14.一种透气而不透水之薄膜(W),特 别是用申请专利范围第1至8项中任一项之装置制 造,或用申请专利范围第13项之方法所制造,而且具 有局部的表面涂层(2a,2b)者, 其中局部之表面涂层(2a,2b)是淀积于薄膜(W)之两面 (4a,4b)上, 且其中薄膜(W)之一面(4a)之表面涂层(2a)至少有一 部份与第二面(4b)之表面涂层(2b)在重叠中相等,使 薄膜在所有情形中于两面上含有已涂覆之段落,并 于两面上含有未涂覆之段落。15.如申请专利范围 第14项之薄膜,其中表面涂层(2a,2b)是由各点所构成 。16.一种三层层积之片状结构,包含如申请专利范 围第14或15项作为中间层之透气而不透水之薄膜。 图式简单说明: 第1图根据本发明之装置示意图; 第2图根据第1图之淀积装置放大图; 第3a至3c图根据本发明薄膜之各具体例; 第4图各淀积装置变更具体例之示意图; 第5图根据第1和2图之淀积装置剖面放大图; 第6图根据第1和2图两淀积装置之平面图; 第7图根据本发明三层层积物之示意图; 第8图一变更之具体例之剖面放大图。
地址 瑞士