| 发明名称 | 生产集成电路时由高纯铜电镀形成导体结构的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及在生产集成电路时在半导体基底(晶片)1的表面上由高纯铜电镀形成导体结构的方法,该半导体基底的表面具有一些凹穴2。该方法包括下列方法步骤:a.在具有凹穴2的半导体基底1的表面上涂以全表面基础金属层,以获得足以进行电解淀积的导电性;b.采用电解金属淀积法,通过将该半导体基底与铜淀积浴接触,在该基础金属层上全表面淀积均匀层厚的铜层3,该铜淀积浴包含至少一种铜离子源、至少一种用以控制该铜层物理－机械性能的添加剂化合物以及Fe(II)和/或Fe(III)化合物,和在该半导体基底和尺寸稳定的、不溶于淀积浴并与其接触的反电极之间施加电压,使电流在该半导体基底1和反电极之间流通;c.将该铜层3结构化。 | ||
| 申请公布号 | CN1337064A | 申请公布日期 | 2002.02.20 |
| 申请号 | CN00802937.7 | 申请日期 | 2000.01.11 |
| 申请人 | 阿托特德国有限公司 | 发明人 | H·梅伊尔;A·赛斯 |
| 分类号 | H01L21/768;H01L21/288 | 主分类号 | H01L21/768 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 吴亦华 |
| 主权项 | 1.当生产集成电路时，在具有凹穴、更特别是具有高宽比大的凹穴的半导体基底表面上由高纯铜电镀形成导体结构的方法，该方法包括下列方法步骤：a.在具有凹穴的半导体基底表面上涂以全表面基础金属层，以获得足以进行电解淀积的导电性；b.采用电解金属淀积法，通过将该半导体基底与铜淀积浴接触，在该基础金属层上全表面淀积具有均匀层厚的铜层，i.该铜淀积浴包含至少一种铜离子源、至少一种用以控制该铜层物理-机械性能的添加剂化合物以及Fe(II)和/或Fe(III)化合物，和ii.在该半导体基底和尺寸稳定的、不溶于淀积浴并与其接触的反电极之间施加电压，使电流在该半导体基底和反电极之间流通；c.将该铜层结构化。 | ||
| 地址 | 德国柏林 | ||