| 发明名称 | 使用MOS栅型半导体元件的电力变换装置 | ||
| 摘要 | 一种电力变换装置，包括：MOS栅型半导体元件的IEGT（1）；在该IEGT（1）的栅极和射极间供给导通电压的导通电压供给电源（2）及开关（4）；在IEGT（1）的栅极—射极端子间供给截止电压的截止电压供给电源（3）及开关（5）。该电力变换装置具有与IEGT（1）的射极端子连接的电感（8）。$#! | ||
| 申请公布号 | CN1078971C | 申请公布日期 | 2002.02.06 |
| 申请号 | CN98800691.X | 申请日期 | 1998.05.22 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 星公弘;岩野义范;中山和也 |
| 分类号 | H02M1/06;H02M1/08 | 主分类号 | H02M1/06 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王勇;叶恺东 |
| 主权项 | 1.一种电力变换装置，其中的多个MOS栅型半导体元件并联连接；其特征在于：电压施加部分，用于施加各所述元件的栅极与发射极之间的导通电压和截止电压；多个电感，连接于所述各元件的发射极，从而提高所述各元件之间的电流平衡程度，用以分别往各元件施加不同的栅电压。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县川崎市 | ||