| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체 소자의 게이트 제조 방법에 관한 것으로, 여러 가지 우수한 특성을 가지는 코발트 실리사이드를 게이트에 이용하기 위한 발명이다. 이를 위하여 본 발명은 반도체 기판을 준비하는 단계와; 상기 반도체 기판 상면에 게이트 절연층을 형성하는 단계와; 증착과 동시에 또는 증착 후에 도핑된 다결정실리콘층을 형성하는 단계와; 코발트 실리사이드층을 증착에 의해서 또는 코발트층과 다결정실리콘층을 반응시켜 형성하는 단계와; 상기 코발트 실리사이드층을 염소(chlorine)기를 포함하는 기체, 염소기를 포함하는 기체와 산소의 혼합 기체, 염소기를 포함하는 기체와 비활성 기체(inert gas)의 혼합 기체와 상기한 여러 기체에 불소(flourine)기를 포함하는 기체를 첨가한 기체 중 적어도 하나 이상의 기체를 식각 기체로 사용하여 패터닝하는 단계와; 상기 다결정실리콘층을 패터닝하는 단계을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하여 이루어짐으로써 제조 공정이 단순하고 저항이 감소하는 반도체 소자의 게이트 제조 방법을 제공하고자 한다.</p> |
