| 摘要 |
<p>본 발명은 모스 트랜지스터 제조방법에 관한 것으로, 종래 모스 트랜지스터 제조방법은 채널영역보다 소스 및 드레인을 높은 위치에 형성하기 위해 기판의 단결정성장을 이용함으로써, 비용이 증가하고 특성이 열화되는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 기판에 필드산화막을 형성하여, 소자형성영역을 정의하고, 사진식각공정을 통해 상기 소자형성영역을 소정의 깊이로 식각하는 단계와; 상기 구조의 상부전면에 게이트산화막과 다결정실리콘을 증착하고 패터닝하여 상기 기판의 식각영역 중앙부에 위치하는 게이트를 형성하는 단계와; 상기 게이트의 측면 기판 하부에 불순물 이온을 이온주입하여 소스 및 드레인을 형성하고, 상기 게이트의 측면에 측벽을 형성하고, 상기 소스 및 드레인의 상부에 실리사이드를 형성하는 단계로 구성되어 단결정성장법을 쓰지않고 채널영역 보다 높은 소스 및 드레인을 형성하여 제조비용을 절감하는 효과가 있다</p> |
