| 主权项 |
1.一种半导体封装元件之散热型BGA基板制作方式,其步骤为:(a)首先,在一封装用BGA基板上的积体电路(IC)晶片置放区,先挖开成镂空状;(b)提供一与该BGA基板连接之散热板(Heat Sink),以微蚀刻(Microetching)方式处理至少于该散热板欲与该BGA基板连接之表面;(c)接着,在该BGA基板之积体电路(IC)晶片置放区外涂布液状树脂A,作为该BGA基板与该散热片之黏着物;(d)再将积体电路(IC)晶片置放区下方所对照之散热以上涂布液状树脂B;(e)最后将该BGA基板与该散热片叠合,完成该BGA基板与该散热片之黏着。2.如申请专利范围第1项所述之一种半导体封装元件之散热型BGA基板制作方式,其中步骤(d)中,积体电路(IC)晶片置放区下方所对照之散热片上涂布液状树脂B之步骤,更包括一在该涂布过程中于树脂中留下数道树脂开口,并在该树脂开口处镀上金属。3.如申请专利范围第2项所述之一种半导体封装元件之散热型BGA基板制作方式,其中所述之金属系为金属镍(Ni)与金属金(Au)。4.如申请专利范围第1项所述之一种半导体封装元件之散热型BGA基板制作方式,其中所述步骤(e)之完成该BGA基板与该散热片之黏着系以热压方式黏合。5.如申请专利范围第1项所述之一种半导体封装元件之散热型BGA基板制作方式,其中所述液态树脂A之组成系可为polyimide、Prepreg、PPE或BT等。6.如申请专利范围第1项所述之一种半导体封装元件之散热型BGA基板制作方式,其中所述液态树脂B之组成系可为polyimide、PPE或BT等。7.一种半导体封装元件之散热型BGA基板之制作方式,其步骤为:(a)首先,在一封装用BGA基板上的积体电路(IC)晶片置放区,先挖开成镂空状;(b)提供一与该BGA基板连接之散热板(Heat Sink)表面以微蚀刻(Microetching)方式处理;(c)接着,在该BGA基板之积体电路(IC)晶片置放区外涂布液状树脂,作为该BGA基板与该散热片之黏着物;(d)再将积体电路(IC)晶片置放区下方所对照之散热片上涂布液状树脂;(e)最后将该BGA基板与该散热片叠合,完成该BGA基板与该散热片之黏着;其中:于该BGA基板之积体电路(IC)晶片置放区外涂布之液状树脂,与在积体电路(IC)晶片置放区下方所对照之散热以上涂布之液状树脂,该两种液状树脂为不同组成之树脂。8.如申请专利范围第7项所述之一种半导体封装元件之散热型BGA基板制作方式,其中步骤(d)中,积体电路(IC)晶片置放区下方所对照之散热以上涂布液状树脂B之步骤,更包括一在该涂布过程中于树脂中留下数道树脂开口,并在该树脂开口处镀上金属。9.如申请专利范围第8项所述之一种半导体封装元件之散热型BGA基板制作方式,其中所述之金属系为金属镍(Ni)与金属金(Au)。10.如申请专利范围第7项所述之一种半导体封装元件之散热型BGA基板制作方式,其中所述步骤(e)之完成该BGA基板与该散热片之黏着系以热压方式黏合。11.如申请专利范围第7项所述之一种半导体封装元件之散热型BGA基板制作方式,其中所述液态树脂A之组成系可为为polyimide、Prepreg、PPE或BT等等。12.如申请专利范围第7项所述之一种半导体封装元件之散热型BGA基板制作方式,其中所述液态树脂B之组成系可为为polyimide、PPE或BT等。图式简单说明:第一图习知半导体封装元件之散热型BGA基板之剖面示意图。第二图为本发明实施例半导体封装元件之散热型BGA基板托开镂空处之上视图。第三图A为本发明实施例半导体封装元件之散热型BGA基板之散热片经微蚀刻之剖面示意图。第三图B为本发明实施例半导体封装元件之散热型BGA基板之散热片涂布上液状树脂A之剖面示意图。第三图C为本发明实施例半导体封装元件之散热型BGA基板之散热片涂布上液状树脂B之剖面示意图。第四图为本发明实施例半导体封装元件之散热型BGA基板之上视图。第五图为本发明实施例半导体封装元件之散热型BGA基板完成之剖面示意图。 |
