发明名称 重金属监视用晶圆与该晶圆之制造方法
摘要 为了监视半导体晶圆上重金属污染量,与晶圆直径有关之监视晶圆厚度系制成小于规定的标准厚度。
申请公布号 TW448526 申请公布日期 2001.08.01
申请号 TW088111630 申请日期 1999.07.07
申请人 电气股份有限公司 发明人 佐佐木康
分类号 H01L21/66 主分类号 H01L21/66
代理机构 代理人 周良谋 新竹巿东大路一段一一八号十楼;周良吉 台北市长春路二十号三楼
主权项 1.一种重金属污染之监视方法,藉着测量少数载子生命期以监视重金属污染量,其特征为包含:第一步骤,于将监视用晶圆设置于被监视场所后,在H2或He气体环境中以1150℃至1350℃范围内之温度对该晶圆作热处理:以及第二步骤,在N2+O2或O2单体气体环境中以900℃至1000℃范围内之温度对该晶圆作热处理。图式简单说明:第一图系显示依据本发明之监视晶圆,其中第一图(a)系显示第一实施例中晶圆之剖面图,而第一图(b)系显示第二实施例中晶圆之剖面图。第二图系显示制造依据本发明之监视晶圆之主要部分之方法。第三图系显示制造习知技术之监视晶圆之方法。
地址 日本