Verfahren zur Herstellung integrierter Sensoren

摘要

Aussparungen oder Vertiefungen werden in der Oberseite eines Halbleiterkörpers ausgeätzt und Sensorkomponenten darin hergestellt, die etwa zur Hälfte versenkt sind. Elektronische Bauelemente werden in dem restlichen Bereich der Oberseite des Halbleiterkörpers hergestellt, wobei diese ggf. mit einer Schutzschicht abgedeckt werden, falls die Aussparung oder Vertiefung erst nachträglich hergestellt wird.