| 主权项 |
1.一种制造半导体装置之方法,包括步骤有:于一半导体基材上形成一导电层,由铜或其合金作为主成分而制造;于该导电层上形成一绝缘层;使用抗蚀剂图型作为罩幕而于该绝缘层中形成一开口,以通达该导电层;形成之半导体基材于氧电浆氛围中进行氧化/及灰化处理,以去除抗蚀剂图型,及使该开口之至少内表面氧化;且于常温下,使用含有柠檬酸主成分之溶液洗涤该开口之至少内表面。2.如申请专利范围第1项之制造半导体装置之方法,其中该含有柠檬酸主成分之溶液系为10百分比主柠檬酸水溶液。3.如申请专利范围第1项之制造半导体装置之方法,其中于氧电浆氛围中之氧化/灰化处理系于该氧电浆氛围中进行约2至约10分钟,其中微波能量系保持于约1,000至约2,000瓦,温度系保持于约180至约300℃之间,而氧系于约100sccm至约500sccm之流速下提供。4.一种制造半导体装置之方法,包括步骤有:于一半导体基材上形成一导电层,由铜或其合金作为主成分而制造;于该导电层上形成一绝缘层;使用抗蚀剂图型作为罩幕而于该绝缘层中形成一开口,以通达该导电层;去除抗蚀剂图型;于一氧氛围中热处理形成之半导体基材,以至该开口之至少内表面进行氧化;及于常温下使用含有柠檬酸土成分之溶液洗涤该开口之至少内表面。图式简单说明:第一图(a)至第一图(h)各为显示本发明之一具体实例之半导体装置制造方法中之一的重要步骤之剖面视图;且第二图(a)至第二图(g)各为显示相关技艺制造半导体装置之方法的剖面图。 |
