发明名称 | 聚偏氟乙烯多孔复合膜的制法 | ||
摘要 | 本发明涉及聚偏氟乙烯多孔复合膜的制法。其特征是以聚偏氟乙烯或聚偏氟乙烯共混物为基膜,通过化学反应或辐照对其表面改性,使之形成C=C、-OH、-COOH、-COOR或自由基的活性增长点,再使基膜与功能性高分子或聚合物单体进行接枝反应,使其表面形成疏松型复合层;对于本身已具有C=C、-OH、-COOH、COOR或自由基的聚偏氟乙烯共混物基膜,直接进行接枝反应,形成疏松型复合层。本发明方法所得产品具有更好的抗污染性和选择分离效果。$#! | ||
申请公布号 | CN1067412C | 申请公布日期 | 2001.06.20 |
申请号 | CN98103152.8 | 申请日期 | 1998.07.20 |
申请人 | 天津纺织工学院膜天膜技术工程公司 | 发明人 | 吕晓龙 |
分类号 | C08J5/00 | 主分类号 | C08J5/00 |
代理机构 | 天津师范大学专利事务所 | 代理人 | 李济群 |
主权项 | 1.一种聚偏氟乙烯复合多孔膜的制法,其特征是以聚偏氟乙烯或聚偏氟乙烯共混物为基膜,通过化学反应或辐照方法对其表面进行改性处理,使之形成C=C、-OH、-COOH、-COOR或自由基的活性增长点,再使表面活化的基膜与功能性高分子或聚合物单体进行接枝反应,使其表面形成疏松型复合层;对于本身已具有C=C、-OH、-COOH、COOR或自由基的聚偏氟乙烯共混物基膜,直接进行所述的接枝反应,形成所述的疏松型复合层。 | ||
地址 | 300160天津市河东区程林庄路63号 |