发明名称 具吸入机构之半导体制造装置
摘要 一种使用吸入机构的半导体制造装置包含一主真空管、用以操纵晶片的吸入机构、一用以执行对于该等晶片之预定制造程序的制造装置、及一用以连接该主真空管至该吸入机构的真空管。该真空管具有一被直接连接至该主真空管的第一真空管,和一第二真空管,该第二真空管具有被连接至该第一真空管的一末端、透过一被安装于该制造装置内之连接器连接至该吸入机构的另一末端及一被安装于该制造装置内的本体。据此,一元件的特性能够被提升而且高产量能够得到。
申请公布号 TW439169 申请公布日期 2001.06.07
申请号 TW085106921 申请日期 1996.06.08
申请人 三星电子股份有限公司 发明人 全基铉;金龙洙
分类号 H01L21/68 主分类号 H01L21/68
代理机构 代理人 恽轶群 台北巿南京东路三段二四八号七楼;康伟言 台北巿南京东路三段二四八号七楼
主权项 1.一种半导体制造装置,具有用来操纵晶圆的吸入机构,该半导体制造装置包含:一晶圆处理单元,用来在该等晶圆上进行预定程序;一真空管,用来将一主要真空管连接到该吸入机构,其中该真空管包含第一真空管,直接连接到该主要真空管;及第二真空管,架设于该晶圆处理单元中,有一端连接于该第一真空管和另一端透过架设于该晶圆处理单元中的连接器而连接到该吸入机构。2.如申请专利范围第1项之半导体制造装置,更包含:多个吸入机构,用以操纵该等晶圆;多个对应的第二真空管;及多个对应的连接器,用以将各自的第二真空管连接到该等多个吸入机构。3.如申请专利范围第2项之半导体制造装置,其中该连接器位于由该晶圆处理单元中执行的制造程序所决定的不同位置。4.如申请专利范围第2项之半导体制造装置,其中,该等多个第二真空管的其中一者系直接连接到该主要真空管,该等多个第二真空管的另一者,系透过该等多个第二真空管之该一者而连接到该主要真空管。5.如申请专利范围第1项之半导体制造装置,其中该吸入机构为真空镊子。图式简单说明:第一图系显示具有真空镊子之习知半导体制造装置的示意图;及第二图系显示本发明之具有真空镊子之半导体制造装置的示意图。
地址 韩国