| 主权项 |
1.一种操作抛光装置之方法,该方法用于一从半导 体元件移除金属的抛光程序中,该方法包含之步骤 有: 施加一抛光悬浮液至一抛光垫; 提供一个有金属层于其上之半导体基体; 抛光该半导体基体,以便将该金属层之部份移除; 施加一酸性清洁溶液至该抛光垫;及 研磨式清洁该抛光垫。2.如申请专利范围第1项之 方法,其中提供具有金属层于其上之半导体基体之 步骤包含提供具有IB族金属层之半导体基体。3.如 申请专利范围第2项之方法,其中提供具有IB族金属 层之半导体基体的步骤包含提供一具有铜层之半 导体基体。4.如申请专利范围第1项之方法,其中施 加酸性清洁溶液之步骤包含施加具有PH値约小于7 的溶液。5.如申请专利范围第4项之方法,其中施加 具有PH値约小于7的步骤包含施加一从由无机酸溶 液、有机酸、无机酸盐溶液和有机酸盐溶液之群 组中选出的溶液。6.如申请专利范围第5项之方法, 其中施加一无机酸溶液的步骤包含施加一个从含 有氢氯酸溶液、硝酸溶液、硫酸溶液、和氢氟酸 溶液构成之群组中选出之溶液。7.如申请专利范 围第5项之方法,其中施加一有机酸溶液之步骤包 含施加二羧酸溶液。8.如申请专利范围第7项之方 法,其中施加二羧酸溶液的步骤包含施加一个从含 有草酸溶液、酒石酸溶液、丙二酸溶液、和苯二 酸溶液构成之群组中选出之溶液。9.如申请专利 范围第5项之方法,其中施加一有机酸溶液之步骤 包含施加一柠檬酸溶液。10.如申请专利范围第5项 之方法,其中施加一无机酸盐溶液之步骤包含施加 一无机铵盐溶液。11.如申请专利范围第5项之方法 ,其中施加一有机酸盐溶液之步骤包含施加一有机 铵盐溶液。12.一种操作一化学机械抛光装置之方 法,该化学机械抛光装置具有一个可收集反应副产 物和处理残渣的研磨表面,该方法包含之步骤为: 施加一酸性清洁溶液到该研磨表面; 在该酸性清洁溶液存在下对该研磨表面作用一研 磨力;及 将该反应副产物和抛光残渣由该研磨表面移除。 13.如申请专利范围第12项之方法,其中施加一酸性 清洁溶液的步骤包含施加一个从含有无机酸溶液 、有机酸溶液、无机酸盐溶液和一有机酸盐溶液 所构成之群组中选出之溶液。14.如申请专利范围 第13项之方法,其中施加无机酸溶液的步骤包含施 加一由含有氢氯酸溶液、硝酸溶液、硫酸溶液、 和氢氟酸溶液构成之群组中选出之溶液。15.如申 请专利范围第14项之方法,其中施加一有机酸溶液 之步骤包含施加二羧酸溶液。16.如申请专利范围 第15项之方法,其中施加二羧酸溶液的步骤包含施 加一个从含有草酸溶液、酒石酸溶液、丙二酸溶 液、和苯二酸溶液构成之群组中选出之溶液。17. 如申请专利范围第13项之方法,其中施加一有机酸 溶液之步骤包含施加一柠檬酸溶液。18.如申请专 利范围第13项之方法,其中施加一无机酸盐溶液之 步骤包含施加一无机铵盐溶液。19.如申请专利范 围第13项之方法,其中施加一有机酸盐溶液之步骤 包含施加一有机铵盐溶液。20.一种清洁铜氧化物 和处理残渣的方法,该铜氧化物和处理残渣系来自 铜移除系统中之研磨表面,该方法包含之步骤为: 施加一酸性清洁溶液至该研磨表面; 在该研磨表面上作用一研磨力;及 将该铜氧化物和处理残渣从该研磨表面移除。21. 如申请专利范围第20项之方法,其中作用一研磨力 的步骤包含使一清洁碟片抵住该研磨表面转动,同 时施力于该清洁碟片上。22.如申请专利范围第21 项之方法,其中施加一酸性清洁溶液的步骤包含施 加一由含有氢氯酸溶液、硝酸溶液、硫酸溶液、 和氢氟酸溶液构成之群组中选出之溶液。23.如申 请专利范围第20项之方法,其中移除铜氧化物和处 理残渣的步骤包含溶解该铜氧化物于一氢氯酸清 洁溶液。图式简单说明: 第一图和第二图以剖面绘示出根据本发明用以从 利用CMP处理之半导体元件移除铜层之处理步骤; 第三图为可用以实施本发明之单个基体CMP装置之 操作部份的外观图;及 第四图为可用以实施本发明之批次CMP装置之操作 部份的上视图。 |
