MEMORY CELL ARRANGEMENT AND OPERATIONAL METHOD THEREFOR

摘要

Eine Speicherzellenanordnung weist Speicherzellen auf, die jeweils zwei magnetoresistive Elemente enthalten. Wenn die magnetoresistiven Elemente jeder Speicherzelle so magnetisiert sind, dass sie unterschiedliche Widerstandswerte aufweisen, lässt sich die in der Speicherzelle gespeicherte Information über eine Widerstandshalbbrückenschaltung dadurch bestimmen, dass an einem Ausgang bewertet wird, ob das dort abgegriffene Signal grösser oder kleiner Null ist.