| 主权项 |
1.一种金属介层洞的制造方法,包括下列步骤:a.在一导电层上形成一介电层;b.在该介电层上形成一光阻层,对该光阻层进行曝光、显影步骤,在预定的位置形成一开口,曝露出该介电层;c.对该光阻层进行烘烤;d.对曝露出的该介电层进行第一次蚀刻,形成一第一蚀刻部份;以及e.对曝露出的该介电层进行第二次蚀刻,形成该金属介层洞。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中在步骤b中,该光阻层系为正光阻。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中在步骤c中之烘烤温度约为100至150℃。4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中在步骤c中之烘烤系利用烤盘。5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中在步骤c中烘烤的时间约为0.5-3分钟。6.如申请专利范围第3项所述之方法,其中在步骤c中之烘烤系利用烤霜。7.如申请专利范围第5项所述之方法,其中在步骤c中烘烤的时间约为15-35分钟。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中在步骤d中,该第一次蚀刻系使用湿蚀刻制程。9.如申请专利范围第5项所述之方法,其中在步骤d中,该湿蚀刻制程系使用缓冲氧化物蚀刻液。10.如申请专利范围第5项所述之方法,其中在步骤d中,该湿蚀刻制程系使用氢氟酸。11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中在步骤d中,该第二次蚀刻系使用乾蚀刻制程。12.如申请专利范围第1项所述之方法,其中在步骤a中之该导电层系一金属层。13.如申请专利范围第1项所述之方法,其中在步骤a中之该导电层系源极/汲极区。图式简单说明:第一图是习知一种金属介层洞的制造步骤流程图;第二图a-第二图c是习知一种金属介层洞的制造流程剖面示意图;第三图是根据本发明一较佳实施例,一种金属介层洞的制造步骤流程图;以及第四图a-第四图c是根据本发明一较佳实施例,一种金属介层洞的制造流程剖面示意图。 |
