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发明名称 Topography simulation method and system of plasma-assisted etching process
摘要
申请公布号 US6199029(B1) 申请公布日期 2001.03.06
申请号 US19980084579 申请日期 1998.05.26
申请人 NEC CORPORATION 发明人 OHTA TOSHIYUKI
分类号 C23F4/00;G06F17/50;G06F19/00;G06Q50/00;G06Q50/04;H01L21/00;H01L21/302;(IPC1-7):G06F17/50 主分类号 C23F4/00
代理机构 代理人
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