| 摘要 |
<p>Der MOS-Transistor weist ein oberes Source-/Drain-Gebiet (S/DO), ein Kanalgebiet und ein unteres Source-/Drain-Gebiet (S/DU), die als Schichten übereinander gestapelt sind und einen Vorsprung eines Substrats bilden, auf. Ein Gatedielektrikum (GD) grenzt an eine erste seitliche Fläche des Vorsprungs an. Eine Gateelektrode grenzt an das Gatedielektrikum an. Eine leitende Struktur (L) grenzt im Bereich des Kanalgebiets an eine zweite seitliche Fläche des Vorsprungs an. Die leitende Struktur grenzt an die Gateelektrode an, so dass das Kanalgebiet leitend mit der Gateelektrode verbunden ist. Floating-Body-Effekte werden vermieden, und der MOS-Transistor weist eine variable Einsatzspannung auf (DTMOS).</p> |
