| 发明名称 |
IGBT mit mindestens zwei gegenüberliegenden Kanalgebieten pro Sourcegebiet und Verfahren zu dessen Herstellung |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE59409477(D1) |
申请公布日期 |
2000.09.21 |
| 申请号 |
DE19945009477 |
申请日期 |
1994.03.19 |
| 申请人 |
ABB SEMICONDUCTORS AG, BADEN |
发明人 |
BAUER, DR. |
| 分类号 |
H01L21/331;H01L29/10;H01L29/739;(IPC1-7):H01L29/739 |
主分类号 |
H01L21/331 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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