利用栅极感应漏极漏电流的快闪存储单元

摘要

一种快闪存储单元,包括形成于基底中的p井及形成于p井上方的栅极结构。栅极结构包括控制栅与浮栅,浮栅通过一层薄介电层与控制栅和半导体基底电隔离。n^-基极邻接栅极结构的第一边缘且延伸至栅极结构下,在n^-基极中且邻接于栅极结构的第一边缘形成p⁺结构,n⁺结构与栅结构的第二边缘相邻。由此结构可通过带对带隧道效应,在p⁺结构表面产生的热电子来执行存储单元编码的操作。抹除操作是利用F－N隧道穿透n^-基极区域来执行的。

主权项

1.一种快闪存储单元，适用于一半导体基底中，其特征在于，该快闪存储单元包括：一p井，形成于该基底中；一栅极结构，形成于该p井上方，该栅极结构包括一控制栅及一浮栅，且通过一薄的介电层将该浮栅与该控制栅和该半导体基底电隔离；一n-基极，邻接该栅极结构的一第一边缘且延伸至该栅极结构之下，位于该基底中；一p+结构，该p+结构形成于该n-基极之中且邻接于该栅极结构的该第一边缘；以及一n+结构，该n+结构与该栅极结构的一第二边缘相邻且位于该基底中。