倒装晶片连接方法,倒装晶片连接结构及使用该结构之电子装置

摘要

在不对基体使用任何特殊材料或制程下的具有高良率的一种稳定的低连接电阻连接结构。半导体积体电路(IC)晶片直接安装在有机电路基体上的一种倒装晶片连接结构。为达成可靠的连接及低连接电阻，本发明藉着使基体电极及/或有机电路基体的基体层变形而吸收形成在半导体IC晶片上的凸出基体及有机电路基体的基体电极的高度变化。置于凸出电极与基体电极之间的导电糊树脂被挤出而留下高密度导电粒子层，以降低电极之间的接触电阻。

主权项

1.一种连接结构,包含:第一组件,具有第一电极;第二组件,具有相应于该第一电极的第二电极;及导电糊,设置在该第一电极的至少一部份与该第二电极的至少一部份之间以及相邻于该第一及第二电极设置,该导电糊内具有用来增进该第一电极与该第二电极之间的电连接的导电粒子,其中在设置在该第一电极与第二电极之间的该导电糊内的导电粒子的密度大于在相邻于该第一及第二电极设置的该导电糊内的导电粒子的密度。2.一种连接结构,包含:第一组件,具有第一电极;第二组件,具有相应于该第一电极的第二电极;及导电糊,在该第一电极的至少一部份与该第二电极的至少一部份上,且其内具有用来增进该第一电极与该第二电极之间的电连接的导电粒子,其中该导电糊在直接设置在该第一电极与该第二电极之间的区域所具有的导电粒子密度比在该第一电极及该第二电极的其他部份所具有的导电粒子密度高。3.一种倒装晶片连接结构,包含:半导体积体电路(IC)装置,具有第一电极;电路基体,具有相应于该第一电极的第二电极;及导电糊,设置在该第一电极的至少一部份与该第二电极的至少一部份之间以及相邻于该第一及第二电极设置,该导电糊内具有用来增进该第一电极与该第二电极之间的电连接的导电粒子,其中在设置在该第一电极与第二电极之间的该导电糊内的导电粒子的密度大于在相邻于该第一及第二电极设置的该导电糊内的导电粒子的密度。4.如申请专利范围第3项所述的倒装晶片连接结构,其中该第一电极为引线接合凸块,挤制凸块,电镀凸块,蚀刻凸块,及模冲压凸块的至少之一的形式的凸出电极。5.如申请专利范围第3项所述的倒装晶片连接结构,其中该第一电极为金凸块,银凸块,及银/锡合金凸块的至少之一。6.如申请专利范围第3项所述的倒装晶片连接结构,其中该第二电极为电极衬垫及电极线的至少之一的形式的印刷电路电极的至少之一。7.如申请专利范围第3项所述的倒装晶片连接结构,其中该导电糊包含热塑性树脂及热塑性黏着剂的至少之一,而该导电糊内的该导电粒子为金粉末,银粉末,及银铂合金粉末之一。8.如申请专利范围第3项所述的倒装晶片连接结构,其中在设置在该第一与第二电极之间的该导电糊内的该导电粒子的密度为至少97重量百分比(wt%)的浓度。9.如申请专利范围第3项所述的倒装晶片连接结构,其中互相电连接的该第一与第二电极之间的接触电阻小于50毫欧姆。10.如申请专利范围第3项所述的倒装晶片连接结构,其中互相电连接的该第一与第二电极之间的接触电阻小于40毫欧姆。11.如申请专利范围第3项所述的倒装晶片连接结构,其中互相电连接的该第一与第二电极之间的接触电阻小于30毫欧姆。12.如申请专利范围第3项所述的倒装晶片连接结构,其中互相电连接的该第一与第二电极之间的接触电阻小于20毫欧姆。13.如申请专利范围第3项所述的倒装晶片连接结构,其中互相电连接的该第一与第二电极之间的接触电阻小于10毫欧姆。14.一种电子装置,含有如申请专利范围第3项所述的倒装晶片连接结构。15.一种倒装晶片连接结构,包含:半导体积体电路(IC)装置,具有第一电极;电路基体,具有相应于该第一电极的第二电极;及导电糊,在该第一电极的至少一部份与该第二电极的至少一部份上,且其内具有用来增进该第一电极与该第二电极之间的电连接的导电粒子,其中该导电糊在直接设置在该第一电极与该第二电极之间的区域所具有的导电粒子密度比在该第一电极及该第二电极的其他部份所具有的导电粒子密度高。16.如申请专利范围第15项所述的倒装晶片连接结构,其中该第一电极为引线接合凸块,挤制凸块,电镀凸块,蚀刻凸块,及模冲压凸块的至少之一的形式的凸出电极。17.如申请专利范围第15项所述的倒装晶片连接结构,其中该第一电极为金凸块,银凸块,及银/锡合金凸块的至少之一。18.如申请专利范围第15项所述的倒装晶片连接结构,其中该第二电极为电极衬垫及电极线的至少之一的形式的印刷电路电极的至少之一。19.如申请专利范围第15项所述的倒装晶片连接结构,其中该导电糊包含热塑性树脂及热塑性黏着剂的至少之一,而该导电糊内的该导电粒子为金粉末,银粉末,及银铂合金粉末之一。20.如申请专利范围第15项所述的倒装晶片连接结构,其中在设置在该第一与第二电极之间的该导电糊内的该导电粒子的密度为至少97重量百分比(wt%)的浓度。21.如申请专利范围第15项所述的倒装晶片连接结构,其中互相电连接的该第一与第二电极之间的接触电阻小于50毫欧姆。22.如申请专利范围第15项所述的倒装晶片连接结构,其中互相电连接的该第一与第二电极之间的接触电阻小于40毫欧姆。23.如申请专利范围第15项所述的倒装晶片连接结构,其中互相电连接的该第一与第二电极之间的接触电阻小于30毫欧姆。24.如申请专利范围第15项所述的倒装晶片连接结构,其中互相电连接的该第一与第二电极之间的接触电阻小于20毫欧姆。25.如申请专利范围第15项所述的倒装晶片连接结构,其中互相电连接的该第一与第二电极之间的接触电阻小于10毫欧姆。26.一种电子装置,含有如申请专利范围第15项所述的倒装晶片连接结构。图式简单说明:第一图A至第一图C为根据本发明的实施例的连接结构的剖面图。第二图为显示根据本发明的实施例的安装方法的流程图。第三图包含显示本发明的结构/方法中凸块形成阶段的剖面及平面图。第四图包含显示本发明的结构/方法中导电糊涂覆阶段的剖面图。第五图及第六图为显示本发明的结构/方法中充填树脂施加阶段的剖面图。第七图为显示本发明的结构/方法中加热及加压阶段的剖面图。第八图为在完成第二图的安装方法后的最终连接结构的剖面图。第九图A为第六图的充填树脂施加阶段的二凸块/电极区域的放大剖面图。第九图B为接近第七图的加热及加压阶段的开始的二凸块/电极区域的放大剖面图。第九图C为接近第七图的加热及加压阶段的结束及/或第八图的最终连接结构的二凸块/电极区域的放大剖面图。第十图为显示本发明与不利的方式之间的比较的照片。