Halbleiter-Speicherbauelement und Verfahren zum Auffrischen eines Halbleiter-Speicherbauelements

摘要

Halbleiter-Speicherbauelement, das eine Vielzahl von Speicherelementen (M1 bis Mn) aufweist, von denen jedes dazu fähig ist, seinen Speicherinhalt innerhalb einer Zeitspanne, während der das Auffrischen wiederholt wird, beizubehalten, und einen Auffrischanforderungs-Schaltkreis (12) für eine Auffrischanforderung, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleiter-Speicherbauelement aufweist: DOLLAR A eine Vielzahl von Auffrischschaltungen (R1 bis Rn), von denen jede als Antwort auf eine Auffrischanforderung vom Auffrischanforderungs-Schaltkreis (12) ein Auffrischen an verschiedenen Speicherelementen (M1 bis Mn) zur gleichen Zeit durchführen kann, wobei der Auffrischanforderungs-Schaltkreis (12) die Intervalle, bei denen er eine Auffrischanforderung durchführt, vorzugsweise verändern kann, eine Auswahlschaltung (FH1 bis FHn und BH1 bis BHn) zum Abrufen einer Auffrischschaltung aus der Vielzahl von Auffrischschaltungen (R1 bis Rn) entsprechend der Vielzahl von im Halbleiter-Speicherbauelement vorhandenen Speicherelementen (M1 bis Mn), und Verfahren zum Auffrischen eines Halbleiter-Speicherbauelements.