发明名称 Semiconductor gas sensor
摘要 Bei einem Halbleitergassensor mit einem Trägersubstrat (56) sind auf derselben Seite des Trägersubstrats platzsparend zwei als Leiterbahnbereiche ausgebildete Interdigitalelektrodenbereiche (ID1, ID2) mit jeweils zwei Interdigitalelektroden (4, 7; 5, 9) vorgesehen. Weiterhin sind als Teil eines auf derselben Seite des Trägersubstrats (56) zwei Meßwiderstandsbereiche (57, 58) vorgesehen, wobei die Meßwiderstandsbereiche (57, 58) und die Interdigitalelektrodenbereiche (ID1, ID2) zu einer auf dem Trägersubstrat gebildeten Wheatstone-Brückenmeßschaltung verbunden sind. <IMAGE>
申请公布号 EP0945722(A2) 申请公布日期 1999.09.29
申请号 EP19990106334 申请日期 1999.03.26
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT 发明人 FLEISCHER, MAXIMILIAN;FRANK, JOACHIM;MEIXNER, HANS
分类号 G01N27/12;G01N33/00;(IPC1-7):G01N27/12 主分类号 G01N27/12
代理机构 代理人
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