半导体装置

摘要

示之发明的目的之一在于：对使用氧化物半导体的半导体装置赋予稳定的电特性，而使其高可靠性化。在包含氧化物半导体膜的电晶体中，对氧化物半导体膜进行利用热处理的脱水化或脱氢化，并且，作为与氧化物半导体膜相接触的闸极绝缘膜，使用包含氧的绝缘膜，较佳使用包括其氧含量超过化学计量组成的区域的闸极绝缘膜，以便将氧从该闸极绝缘膜中供应到氧化物半导体膜。再者，藉由使用金属氧化物膜作为闸极绝缘膜的一部分，以抑制氢或水等杂质再混入到氧化物半导体膜中。

主权项

一种半导体装置，包括：第一闸极电极；第一金属氧化物膜，在该第一闸极电极之上并且与该第一闸极电极相接触；含氧之第一绝缘膜，在该第一金属氧化物膜之上；氧化物半导体膜，在该含氧之第一绝缘膜之上并且与该含氧之第一绝缘膜相接触；含氧之第二绝缘膜，在该氧化物半导体膜之上；第二金属氧化物膜，在该含氧之第二绝缘膜之上；以及第二闸极电极，在该第二金属氧化物膜之上，其中，该第一金属氧化物膜含有铝和镓的至少其中一者，其中，该第一金属氧化物膜包括其含氧比率超过该第一金属氧化物膜之化学计量组成之氧比率的区域，并且其中，该第二金属氧化物膜包括其含氧比率超过该第二金属氧化物膜之化学计量组成之氧比率的区域。