形成无孔隙沟槽隔离的方法

摘要

公开了一种在半导体基片上形成隔离沟槽的方法,形成无孔隙隔离,防止在以后的蚀刻步骤中在沟槽的边缘产生凹陷。依此方法,在基片上形成沟槽形成掩模,该沟槽形成掩模由具有不同的蚀刻速率的第一和第二材料层组成。使用沟槽形成掩模蚀刻基片,形成沟槽,接着经湿法腐蚀去掉第一材料层的两侧壁,以形成沟槽形成掩模的钻蚀截面。最后,在基片上淀积沟槽填充绝缘层,填满沟槽形成掩模,其中沟槽填充绝缘层在第一材料层的侧壁处的淀积速度慢于在沟槽的内部的淀积速度。

主权项

1．一种在半导体基片中形成沟槽隔离的方法，包含以下各步骤：在半导体基片上形成沟槽隔离掩模，所述的沟槽隔离掩模由具有不同的蚀刻速率的第一和第二材料层组成；使用沟槽形成掩模蚀刻基片，形成沟槽；湿法腐蚀第一材料层以去掉第一材料层的两侧壁，从而形成沟槽形成掩模的钻蚀截面；和在基片上淀积沟槽填充绝缘层，填满沟槽形成掩模，其中，沟槽填充绝缘层在第一材料层的侧壁处的淀积速度慢于在沟槽内部的淀积速度。