Werkwijze voor het vervaardigen van een woordregel, en hiermee verkregen geïntegreerde halfgeleiderschakeling.

摘要

A word line 26 of a DRAM is formed by depositing tungsten silicide 28 on the polysilicon word line and forming a silicon rich metal silicide or pure silicon layer 30 on the silicide layer. Layer 30 has a higher concentration of silicon than layer 28 and the formation of tungsten oxide is prevented. A cap oxide layer 32 is formed on the layer 30.