| 发明名称 | 半导体集成电路器件以及制造该器件的方法 | ||
| 摘要 | 在位线(30)上方具有存储电容器类型的半导体动态随机存取存储器件中包含的存储单元的存储电容器(33/34/35)之间共享单元板电极(35),并以这样的方式在单元板电极中形成切口(36),即,沟道区和栅氧化层(24)之间的边界以等于或小于根据层间绝缘层中氢的扩散长度确定的临界距离的距离与单元板电极的外周边和切口水平地隔开,由此使氢必然能够到达该边界,以便减少表面态的密度。 | ||
| 申请公布号 | CN1220495A | 申请公布日期 | 1999.06.23 |
| 申请号 | CN98125682.1 | 申请日期 | 1998.12.21 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 大石三真 |
| 分类号 | H01L27/10;H01L27/108;H01L21/82;H01L21/8242 | 主分类号 | H01L27/10 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏 |
| 主权项 | 1．一种半导体集成电路器件，包括：具有边界的至少一个电路元件(24/25/26/27；53/54/55/56)，表面态出现在该边界处；层间绝缘层(28/31；57/59)，覆盖所述至少一个电路元件，并由用于减少所述表面态的化学物种可透过的第一材料形成；以及阻挡层(35；64)，形成在所述边界上方的所述层间绝缘层上，并由几乎不可透过所述化学物种的第二材料形成，其特征在于，所述阻挡层(35；64)具有至少一个开口(36；65)，该开口与所述阻挡层的外周边外部的所述层间绝缘层的暴露表面一起为化学物种提供通道，并使所述边界以等于或小于临界距离的距离与所述通道隔开，所述临界距离是沿与所述阻挡层平行的方向测量的，并且是根据在预定扩散条件下所述化学物种的扩散长度确定的。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||