发明名称 Verfahren zur Herstellung einer dielektrischen BPSG-Zwischenschicht einer Halbleitervorrichtung
摘要
申请公布号 DE69227086(T2) 申请公布日期 1999.04.15
申请号 DE19926027086T 申请日期 1992.10.28
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD., SUWON, KYUNGKI, KR 发明人 KIM, CHANGGYU, SUWON, KYUNGKI-DO, KR;HONG, CHANGKI, KWONSUN-KU, SUWON, KYUNGKI-DO, KR;CHUNG, UIN, CHANGAN-KU, SUWON, KYUNGKI-DO, KR;AHN, YONGCHUL, AHNYANG, KYUNGKI-DO, KR
分类号 H01L21/3105;H01L21/316;H01L21/768;(IPC1-7):H01L21/310 主分类号 H01L21/3105
代理机构 代理人
主权项
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