| 发明名称 | 等离子体处理的方法及装置 | ||
| 摘要 | 等离子体处理方法包括:通过抽气真空室内部同时将气体输至真空室,控制真空室内部至规定压力;在真空室内部压力控制下,高频功率供给第一导体的一端,第一导体的另一端断开,成涡流型,第二导体的一端接地,另一端断开,成涡流型,从第一导体和第二导体辐射电磁波至真空室,在真空室产生等离子体,并处理位于真空室内电极上的基底。 | ||
| 申请公布号 | CN1199242A | 申请公布日期 | 1998.11.18 |
| 申请号 | CN98109290.X | 申请日期 | 1998.03.27 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 奥村智洋;中山一郎 |
| 分类号 | H01L21/3065;H01L21/306;H01L21/205 | 主分类号 | H01L21/3065 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王忠忠;张志醒 |
| 主权项 | 1.等离子体处理方法，包括：通过抽气真空室内部同时将气体输至真空室，把真空室(1，101)内部控制到规定压力；在真空室内部的压力控制下，向导体(6a，6b，106a，106b)供给高频功率并从导体辐射电磁波至真空室，从而在平行于基底(8，108)的基底表面，离基底表面一规定距离的平面内的离子饱和电流密度分布具有环状高密度部分；以及在真空室产生等离子体并处理位于真空室内电极(7，107)上的基底。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||