发明名称 大面积类金刚石碳膜低温制备方法及装置
摘要 本发明提出一种材料表面大面积类金刚石碳膜低温制备方法及装置,具体说是在密闭的真空室内充入含碳气体,并对工件施加负高压电脉冲,激发等离子体,在工件温度不变的条件下,在其表面形成一层膜基间无界面的大面积类金刚石碳膜。其装置为一个具有封闭磁场的真空室,室外设高压脉冲电源及磁场,室内设工件台或支架及高电压引入电极,以及油冷、水冷系统。采用本发明可以对成批工件,在其表面制取一层无界面的高结合力的类金刚石碳膜。
申请公布号 CN1196401A 申请公布日期 1998.10.21
申请号 CN97103251.3 申请日期 1997.04.17
申请人 哈尔滨工业大学 发明人 夏立芳;孙明仁;马欣新;孙跃
分类号 C23C16/26 主分类号 C23C16/26
代理机构 哈尔滨工业大学专利事务所 代理人 李依群
主权项 1.一种大面积类金刚石碳膜低温制备方法,其特征在于:该方法包括下列步骤:将工件放在加有磁场的密闭真空室内,其真空度为≤1×10-4Pa,磁场为封闭磁场,磁场强度为1000-3000高斯,充以含碳气体,至气压为7~1×10-1Pa,以工件为阴极,室壁为阳极,施加2~30KV的脉冲电压,脉宽为10~200μs,重复频率50~400Hz,激发辉光放电,产生含碳等离子体,并在工件表面注入和淀积一层类金刚石碳(以下称DLC)膜。
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