| 主权项 |
1.一种半导体装置,其特征为:具备半导体基板和; 形成 在半导体基板上之多个输出入端子;前述输出入端 子,系 具有设在前述半导体基板上的周边区域之晶片筛 选端子部 和设在前述半导体基板上的内部区域形成突起之 输出入端 子部,以电气式连接该晶片筛选端子部和输出入端 子部。2.如申请专利范围第1项所述之半导体装置, 其中,在前 述半导体基板的前述周导区域沿着前述半导体基 板的边界 形成输出入电路部,前述晶片筛选端子部,系形成 在该输 出入电路部和前述半导体基板的边界之间。3.如 申请专利范围第1项所述之半导体装置,其中,前述 输出入端子部,系以等间隔配列在前述半导体基板 上的内 部区域。4.如申请专利范围第3项所述之半导体装 置,其中,前述 输出入端子部,系为略正方形,平行其对向两边的 中心线 ,系对着前述半导体基板的任意边界倾斜45度。5. 如申请专利范围第1项所述之半导体装置,其中,在 前 述半导体基板上形成由金属配线所构成之多层配 线,以电 气式连接前述该多层配线之前述输出入端子部和 前述晶片 筛选端子部之配线,系采用该多层配线所定层之配 线,在 前述输出入端子部以及前述晶片筛选端子部系采 用比该所 定层的配线更上层之配线。6.如申请专利范围第1 项所述之半导体装置,其中,更具 有仅由晶片筛选端子部无输出入端子部所形成之 输出入端 子。7.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,其 中,前述 晶片筛选端子部,系由在表面包覆导电性耐蚀刻性 保护膜 之金属配线所制成。8.如申请专利范围第7项所述 之半导体装置,其中,前述 耐蚀刻性保护膜,系针对蚀刻前述间隔金属之蚀刻 液而言 比该间隔金属的耐蚀刻性还要高。9.一种半导体 装置之制造方法,其特征为:具有在半导体 基板上形成金属膜之过程和;形成以前述金属膜作 为制作 布线图案而在前述半导体基板的内部区域上由金 属配线所 制成之多个输出入端子部,与在前述半导体基板的 周边区 域上由金属配线所制成,以电气式连接该输出入端 子部之 晶片筛选端子部之过程和;在前述输出入端子部以 及前述 晶片筛选端子部的前述金属配线上形成导电性耐 蚀刻性保 护膜之过程和;在前述半导体基板上形成间隔金属 形成用 金属膜之过程和;在前述输出入端子部之上介设前 述耐蚀 刻性保护膜以及前述间隔金属形成用金属膜而形 成突起之 过程和;以前述间隔金属形成用金属膜作为制作布 线图案 ,而在前述输出入端子部的前述突起与前述耐蚀刻 性保护 膜之间形成间隔金属之过程。10.一种半导体装置 之制造方法,其特征为:具有在半导 体基板上形成金属膜之过程和;在前述金属膜上形 成耐蚀 刻性保护膜之过程和;以前述金属膜以及前述耐蚀 刻性保 护膜作为制成布线图案而在前述半导体基板的内 部区域上 由用前述耐蚀刻性保护膜包覆的金属配线所制成 的多个输 出入端子部,与在前述半导体基板的周边区域由用 前述耐 蚀刻性保护膜包覆的金属配线所制成,以电气式连 接该输 出入端子部之晶片筛选端子部之过程和;在前述半 导体基 板上形成间隔金属形成用金属膜之过程和;在前述 输出入 端子部之上介设形成前述耐蚀刻性保护膜以及前 述间隔金 属形成用金属膜而形成突起之过程和;以前述间隔 金属形 成用金属膜作为制作布线图案,而在前述输出入端 子部的 前述突起与前述耐蚀刻性保护膜之间形成间隔金 属之过程 。图示简单说明:第一图系本发明第一实施例之半 导体装 置之平面图;第二图系表示第一图之半导体装置之 输出入 端子结构之断面图;第三图系第一实施例之半导体 装置之 制造过程断面图;第四图系第一实施例之半导体装 置之制 造过程断面图;第五图系第二实施例之半导体装置 之制造 过程断面图;第六图系第二实施例之半导体装置之 制造过 程断面图;第七图系本发明第三实施例之半导体装 置之平 面图;第八图系本发明第四实施例之半导体装置之 平面图 ;第九图系装载在习知电路基板之半导体装置之断 面图; 第十图系习知半导体装置之平面图;第十一图系习 知半导 体装置之输出入端子之断面图;第十二图系习知半 导体装 置之断面图;第十三图系习知半导体装置之平面图 。 |
