PROCESS AND DEVICE FOR PRODUCTION OF METALLIC COATINGS ON SEMICONDUCTOR STRUCTURES

摘要

Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Metallisierung auf Halbleiterkörpern, womit Bereiche der Oberfläche mittels Leiterbahnen in einer oder mehreren Ebenen und Kontakten zwischen den Leiterbahnen verschiedener Ebenen elektrisch leitend verbunden werden können. Das Verfahren zur Herstellung von Metallisierungen auf Halbleiterkörpern mittels Abscheidung aus der Dampfphase im Vakuum, in erzeugte Gräben für die Leiterbahnen und Löcher für Leiterbahnverbindung im Substratmaterial, wie SiO2 oder anderen anorganischen und organischen Werkstoffen, ist dadurch gekennzeichnet, dass ein an sich bekannter gepulster Vakuumbogenverdampfer verwendet wird, wobei eine Barriereschicht auf der Oberfläche der Gräben und Löcher des Substrates unter Verwendung das Plasmas des Verdampfers abgeschieden wird und/oder das Füllen der Gräben und Löcher mit niederohmigen Leiterbahnmaterial aus einem weiteren Plasma eines derartigen Verdampfers vorgenommen wird. Eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens wird beschrieben. Mit dem Verfahren und der Vorrichtung lassen sich auch Gräben und Löcher mit hohem Aspektverhältnis ohne Hohlräume metallisieren.