| 发明名称 |
PROCESS FOR MANUFACTURE OF MOS GATED DEVICE WITH REDUCED MASK COUNT |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
HUT76792(A) |
申请公布日期 |
1997.11.28 |
| 申请号 |
HU19970001354 |
申请日期 |
1995.08.17 |
| 申请人 |
INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION |
发明人 |
KINZER,DANIEL M. |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/265;H01L21/332;H01L21/336;H01L21/768;H01L29/10;H01L29/41;H01L29/417;H01L29/739;H01L29/744;H01L29/749;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/265 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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