| 发明名称 | 用于制造半导体器件的电容器的方法及电容器结构 | ||
| 摘要 | 一种用于高度集成的半导体器件的电容器，以下列方法依次进行下列步骤：设置半导体基片；在半导体基片上形成钌-铂膜；对钌铂膜进行热处理以在钌-铂膜上生成钌-铂氧化物；及在钌-铂氧化物上形成介电膜和电导层。 | ||
| 申请公布号 | CN1158498A | 申请公布日期 | 1997.09.03 |
| 申请号 | CN96120755.8 | 申请日期 | 1996.11.28 |
| 申请人 | 现代电子产业株式会社 | 发明人 | 崔璟根 |
| 分类号 | H01L21/82 | 主分类号 | H01L21/82 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余朦 |
| 主权项 | 1.一种用于制造半导体器件的电容器的方法，包括下列依次进行的步骤：设定一个半导体基片；在半导体基片上形成钌-铂膜；对钌铂膜进行热处理以在钌-钯膜上生成出钌-铂氧化物；及在钌-铂氧化物膜上形成介电膜和导电层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||