发明名称 |
批可擦除不挥发存储器装置和擦除方法 |
摘要 |
一个提供有存储单元可成批擦除的不挥发存储装置,通过程序操作,释放积累在浮栅上的电子电荷,适合执行擦除操作。执行次序为读擦除单位的存储单元,并在这些不挥发存储单元上执行预写操作;用相对大能量,对所说擦除单位的不挥发存储单元高速执行批擦除操作;对全部擦除了的不挥发存储单元执行读操作,并在这些不挥发存储单元上执行写操作;用相对小的能量,对所说擦除单位的不挥发存储单元低速执行批擦除操作。 |
申请公布号 |
CN1149183A |
申请公布日期 |
1997.05.07 |
申请号 |
CN95105499.6 |
申请日期 |
1995.05.18 |
申请人 |
株式会社日立制作所;日立ULSI工程株式会社;日立东部半导体株式会社 |
发明人 |
高桥正人;小田桐美智子;古野毅;古泽和则;和田正志 |
分类号 |
G11C7/00;H01L27/78 |
主分类号 |
G11C7/00 |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
范本国 |
主权项 |
1.一种不挥发存储装置,包括:大量存储单元,这些存储单元存贮着阈值电压值的信息;一个命令译码器,用来对提供的命令译码;以及一个控制电路,它根据所说的命令译码器的译码结果,形成一专门的操作;其中所说的大量存储单元各自具有浮栅,并且所说的控制电路用所说命令译码器,根据阈值电压变化操作所指示的命令译码器,根据阈值电压变化操作所指示的命令译码结果,形成第一吸出操作,注入操作和第2吸出操作;所说的第一吸出操作用来从浮栅上放出电子以设置所说的大量存储单元的阈值电压,该电压比第一个电压更低;所说的注入操作是向浮栅注入电子,以设置存储单元的阈值电压,这些被确定的电压高于0V而低于第2个电压;在所说第一次放电操作以后比所说的第2电压高;所说的第2吸出操作,用来从浮动栅上放出电子以设置所说的大量存储单元的阈值电压,该电压将高于所说电子注入操作以后的0伏。 |
地址 |
日本东京 |