首页
产品
黄页
商标
征信
会员服务
注册
登录
全部
|
企业名
|
法人/股东/高管
|
品牌/产品
|
地址
|
经营范围
发明名称
CONTROLLER AND CONTROL METHOD FOR TRANSMITTED LIGHT QUANTITY
摘要
申请公布号
JPH08211416(A)
申请公布日期
1996.08.20
申请号
JP19950209721
申请日期
1995.08.17
申请人
FUJIKURA LTD;FUJIKURA KASEI CO LTD
发明人
EDAMURA KAZUYA;OTSUBO YASUBUMI;ANZAI HIDENOBU;AKASHI KAZUYA;SASAKI KEN
分类号
G02F1/19;(IPC1-7):G02F1/19
主分类号
G02F1/19
代理机构
代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
导电基板及其制备方法;CONDUCTING SUBSTRATE AND METHOD FOR PREPARING THE SAME
电阻式记忆体及其制造方法;RESISTIVE MEMORY AND FABRICATING METHOD THEREOF
具有经选择性掺杂导电氧化物层之太阳能电池及其制备方法;SOLAR CELL WITH SELECTIVELY DOPED CONDUCTIVE OXIDE LAYER AND METHOD OF MAKING THE SAME
多层的保护层或蚀刻停止层薄膜电晶体;MULTILAYER PASSIVATION OR ETCH STOP TFT
鳍状场效电晶体装置与其形成方法;FINFET DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
有机光电转换元件及摄像元件;ORGANIC PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT AND IMAGE ELEMENT
阵列基板;ARRAY SUBSTRATE
半导体元件之内连接结构;INTERCONNECTION STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE
晶片封装体及其制造方法;CHIP PACKAGE AND METHOD FOR FORMING THE SAME
电子装置及其制造方法
光学模组的封装结构
光学模组的封装结构
基板保持装置及基板洗净装置;SUBSTRATE HOLDING APPARATUS AND SUBSTRATE CLEANING APPARATUS
真空夹具
半导体制程温度量测装置;TEMPERATURE MEASURING DEVICE FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING PROCESS
藉由杂质离子植入调整通道半导体合金层生长;CHANNEL SEMICONDUCTOR ALLOY LAYER GROWTH ADJUSTED BY IMPURITY ION IMPLANTATION
片材之制造方法及片材制造装置
非电浆乾式蚀刻装置;NON-PLASMA DRY ETCHING APPARATUS
半导体结构及其制法;SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURE
氧化物半导体膜、氧化物半导体膜的制作方法及半导体装置