| 发明名称 | 下降法生长大尺寸碘化铯(CSI)晶体新技术 | ||
| 摘要 | 本发明关于坩埚下降法生长优质碘化铯晶体，属于晶体生长领域。用通常石英坩埚下降法生长大尺寸CsI晶体的主要问题是石英坩埚容易开裂，晶体应力大，多晶严重，容易开裂，性能也差。本发明的核心是减少大尺寸晶体应力及定向生长，主要技术包括正确选用铂坩埚，选好晶体生长方向及包种接种技术，有一整套减少生长缺陷和I-空位的措施。完整的工业化生长大尺寸CsI晶体的工艺技术。按本发明生长出来的大尺寸纯CsI晶体能量分辨率与光产额高。 | ||
| 申请公布号 | CN1113970A | 申请公布日期 | 1995.12.27 |
| 申请号 | CN94112210.7 | 申请日期 | 1994.06.23 |
| 申请人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明人 | 沈定中;殷之文;袁湘龙;张黎星;李培俊;邓群 |
| 分类号 | C30B15/00;C30B29/12 | 主分类号 | C30B15/00 |
| 代理机构 | 中国科学院上海专利事务所 | 代理人 | 潘振苏 |
| 主权项 | 1、一种下降法生长碘化铯晶体或掺杂碘化铯晶体的生长技术，包括原料处理、坩埚选用、生长设备和生长条件，其特征在于：(1)原料A采用纯度为99.99%的CsI原料；B原料在～80℃脱OH-；(2)使用铂坩埚A有底单层或双层铂坩埚，形状为光底或长方形或平底，坩埚壁厚0.12-0.20mm，形状与生长晶体的形状有关；B使用时坩埚处于密封状态；(3)生长炉A生长炉内外均处于大气气氛中；B发热体使用硅碳棒；C炉子下底部设有辅助加热器；(4)晶体生长A采用有籽晶生长与无籽晶生长二种方法；B生长条件：熔料： 660-700℃温度梯度： ～30℃生长速率： 1.5-3.5mm/小时降温速率： ～20℃/小时C坩埚内以含碘气体(HI、CI4)作生长气氛。 | ||
| 地址 | 200050上海市定西路1295号 | ||