| 主权项 |
1. 一种限流用之电路配置,系配置在供应电源(2)和储存电容器(19)之间,包含在长分支上之场效电晶体(12,120)之源极—汲极区段和与此源极—汲极区段成串连之电流感测器(8,80),则场效电晶体(12,120)之闸极经由电阻(16,160)在场效电晶体(12,120)上接通一输入之控制用启动电位且场效电晶体(12,120)在切断状态时,在电晶体(5,50)之射极—集极区段上接通一控制用之切断电位,电晶体(5,50)之射极和电流感测器(8,80)之一端接通,电晶体(5,50)之基极经由电阻(6,60)和电流感测器(8,80)之另一端接通,使电晶体(5,50)之射极—集极区段在电流感测器(8,80)上有一低于预定门限电压之高欧姆电压降,且于场效电晶体(12,120)作为限流用时,藉电流感测器(8,80)上产生一高于电晶体(5,50)集极之预定门限电压之压降而在场效电晶体(12,120)上产生控制电位,其特征为,电流感测器(8,80)含有抗流圈(9,90),故其阻抗显示一欧姆和一电感组件,且平行于电流感测器(8,80)配置一和切断方向之负载电流(I1)相关之极化二极体(11,110)。2. 如申请专利范围第1项之电路配置,其中在场效电晶体(12)之闸极引线配置一闸极前置电阻(23),平行于闸极前置电阻(23)则有一个二极体(24),此二极体极化成和闸极前置电阻(23)之压降及场效电晶体(12,120)在切断方向之输入控制电压相关。3. 如申请专利范围第1或2项之电路配置,其中在电晶体(5,50)和场效电晶体(12,120)之源极之间配置一和场效电晶体(12,120)在切断方向之输入控制电压相关之极化齐纳二极体(7)。4. 如申请专利范围第1或2项之电路配置,其中藉开关(22)之助启动电位可在供应电源(2)和消耗零件(19,20)之直接连接点电位和辅助电位(U@ssH)之间转换。5. 如申请专利范围第1或2项之电路配置,其中平行于场效电晶体(12,120)之汲极—源极区段配置一电阻(25)。6. 如申请专利范围第1或2项之电路配置,其中平行于电流感测器(8,80)和场效电晶体(12)之汲极—汲极区段所构成之串联电路配置一用于切断方向之电流(I1)的极化剂纳二极体(26)。7. 如申请专利范围第1或2项之电路配置,其中抗流圈(9,90)之电感依如下之方式测量,即藉此电路配置在被动状态之启动,此场效电晶体(12,120)上寄生电容(13,14,15)之充电电流的主要部份流经电晶体(5,50)之射极—集极区段。8. 如申请专利范围第1或2项之电路配置,其中电流感测器(8,80)之欧姆组件依如下之方式测量,即和电晶体(5,50)之门限电压相关之负载电流被限制在一预定之値。9. 如申请专利范围第1或2项之电路配置,其中电晶体(5,50)基极引线上之电阻(6,60)在考虑场效电晶体(12)上寄生电容(13,14,15)之充电时应充份小,而在考虑电晶体(5,50)对过负载之保护时应充份大。10. 如申请专利范围第1或2项之电路配置,其中电流感测器(8,80)之欧姆组件由抗流圈(9,90)之线圈电阻构成。图示简单说明:图1为具有n通道场效电晶体和npn电晶体之限流用电路配置。图2为图1之电路配置的电流和电压时序图。图3为具有附加的可控制场效电晶体之限流用电路配置。图4为具有p通道场效电晶体和pnp电晶体之限流用电路配 |
