| 主权项 |
1.一种输出缓冲器,系藉致能讯号控制形成偏压,以介于高/低输出电位间之一缓冲电位,提高输出装置转态效率,以加速资料讯号通行,该输出缓冲器包括:一开关装置,接受资料讯号输入,藉致能讯号管制资料讯号通行至该输出装置;以及一偏压装置,依致能讯号指示,提供缓冲电位至输出装置,以提高输出装置转态效率;藉致能讯号控制,使该开关装置与该偏压装置交叉启动,以将资料讯号与缓冲电位交替送至输出装置。2.如申请专利范围第1项所述之输出缓冲器,其中,该偏压装置包括:一第一PMOS电晶体,以汲极接地,闸极接受致能讯号之反相讯号控制,而由源极耦接至输出装置;一第二PMOS电晶体,以汲极接地,闸极接受致能讯号之反相讯号控制,而由源极耦接至输出装置;一NMOS电晶体,以源极或汲极之一耦接该第一PMOS电晶体源极,而以源极或汲极其他一极耦接该第二PMOS电晶体源极,提供闸极为致能讯号所控制;是以致能讯号为高电位时,得于输出一缓冲电位至输出装置,而致能讯号为低电位时,失去功能。3.如申请专利范围第1项或第2项所述之输出缓冲器,其中,该开关装置包括一正相资料开关与一反相资料开关,藉以管制正相资料讯号与反相资料讯号之通行,各开关皆由一对PMOS电晶体与NMOS电晶体组成,其中,该PMOS电晶体以源极耦接该NMOS电晶体汲极,以汲极耦接该NMOS电晶体源极,以闸极接受致能讯号控制,该NMOS电晶体则以致能讯号之反相讯号控制其闸极,是以二电晶体通道区共成资料讯号通路,为致能讯号管制:致能讯号为高电位时,正相资料开关与反相资料开关皆关闭,资料讯号无法输出;致能讯号为低电位时,正相资料开关与反相资料开关皆导通,资料讯号输入,经资料讯号通路而输出至输出装置。4.如申请专利范围第3项所述之一种输出缓冲器,其中,该输出装置是一第一NMOS电晶体和一第二NMOS电晶体以源极/汲极相耦接共为输出,以该第一NMOS之汲极接至电压电源,闸极接受该输出缓冲器之正相资料讯号,以该第二NMOS电晶体之源极接地,闸极接受该输出缓冲器之反相资料讯号,是以在该致能讯号为高电位时,接受缓冲电位输入以预备转态,而在致能讯号为低电位时,迅速转态而将资料讯号输出。图示简单说明:第1图是习知数位电路输出装置之电路示意图;第2图是依照第1图之数位电路输出装置,其资料讯号与输出资料讯号之时序图(Timing Diagram);第3图是依照本创作缓冲输出器之一较佳实施例电路示意图;以及 |
