发明名称 Halbleiterspeicheranordnung mit verschiedenen Substrat-Vorspannungsschaltungen.
摘要
申请公布号 DE68919155(D1) 申请公布日期 1994.12.08
申请号 DE19896019155 申请日期 1989.08.09
申请人 NEC CORP., TOKIO/TOKYO, JP 发明人 TOHNISHI, SHIGEJI C/O NEC CORPORATION, MINATO-KU TOKYO, JP
分类号 H01L21/822;G11C5/14;G11C11/401;G11C11/4074;H01L21/8242;H01L27/04;H01L27/10;H01L27/108;(IPC1-7):G11C5/14;G11C11/407 主分类号 H01L21/822
代理机构 代理人
主权项
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