发明名称 | 瞬态电荷测量系统 | ||
摘要 | 本发明属于半导体测量技术,适用于半导体电学特性及绝缘体/并导体界面电学特性的测量。由于采用了脉冲电荷法新的测量技术,及由放大器、采样电路、积分器、反馈元件依次连接而成的新型漏电补偿反馈电路,并加入了微机控制,使本发明成为集“时域模式”、“瞬态电荷测量”及“漏电补偿”这样三个各有显著优点的因素于一体的实用测量系统,可以取代多种现有测量方法及装置,并能测量薄栅介质及漏电较大的MOS或MIS样品,可获取全部信息,且具有测量精度高等优点。 | ||
申请公布号 | CN1023347C | 申请公布日期 | 1993.12.29 |
申请号 | CN91100410.6 | 申请日期 | 1991.01.24 |
申请人 | 清华大学 | 发明人 | 郑心畲;李志坚;孙曦庆 |
分类号 | G01R31/26 | 主分类号 | G01R31/26 |
代理机构 | 清华大学专利事务所 | 代理人 | 胡兰芝 |
主权项 | 1.一种瞬态电荷测量系统,由偏压及信号源、电流/电压变换器、积分器1构成,其特征在于漏电补偿反馈电路的放大器与反馈元件之间依次接有一个取样电路和一个积分器2,在积分器1的出端接有一个模—数转换器A/D,在偏压及信号源的入端接有一个数—模转换器D/A,模—数转换器A/D、数—模转换器D/A分别与微机接口电路相连,数—模转换器D/A、模—数转换器A/D和采样电路由微机同步控制。 | ||
地址 | 100084北京市海淀区清华园 |