HIGH RESPONSIVITY ULTRAVIOLET GALLIUM NITRIDE DETECTOR
摘要
Détecteur d'ultraviolets au AlxGa1-xN, présentant une très haute sensibilité dans la plage comprise entre plus de 200 et 365 nanomètres et une coupure très nette aux grandes longueurs d'onde. La couche active destinée à ces capteurs est un monocristal AlxGa1-xN, déposé de préférence sur un substrat plan de saphir par épitaxie interrompue de couches atomiques.
申请公布号
WO9326049(A1)
申请公布日期
1993.12.23
申请号
WO1993US05448
申请日期
1993.06.08
申请人
APA OPTICS, INC.
发明人
VAN HOVE, JAMES, M.;KUZNIA, JON, N.;OLSON, DONALD, T.;KHAN, MUHAMMAD, ASIF;BLASINGAME, MARGARET, C.