发明名称 |
电子电路 |
摘要 |
一种在绝缘基片上形成的电子电路,它具有由半导体层构成的薄膜晶体管(TFTS)。半导体层的厚度小于1500A,例如在100—750A之间。在半导体层上形成主要由钛和氮构成的第一层。在所说的第一层上面形成由铝构成的第二层。将此第一和第二层按一定图形刻蚀成导电互连线。此第二层的下表面实质上完全与第一层紧密接触。互连线与该半导体层有良好的接触。 |
申请公布号 |
CN1239835A |
申请公布日期 |
1999.12.29 |
申请号 |
CN99107129.8 |
申请日期 |
1993.12.09 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
宫崎稔;A·村上;山本睦夫;崔葆春 |
分类号 |
H01L29/786;H01L27/092;H01L27/12 |
主分类号 |
H01L29/786 |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
张志醒 |
主权项 |
1.一种半导体器件,包括:一半导体层,具有沟道区、微量掺杂区和导电性能比所述微量掺杂区更高的较高导电区;和一栅电极,邻近所述沟道区配置,栅电极与沟道区之间有栅绝缘膜;其特征在于,所述微量掺杂区有一个与所述栅电极重叠的区域和一个与所述栅电极不重叠的区域;且所述较高导电区设在所述微量掺杂区对着所述沟道区的一面。 |
地址 |
日本神奈川县 |